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Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
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Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

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Samsung MZ-V9S1T0, 1 TB, M.2, 7150 MB/s
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Samsung MZ-V9S1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7150 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC
64106
4 Artículos

Ficha de datos

SDD, capacidad
1
Factor de forma de disco SSD
M.2
Peso
9
Ancho
80,2
Profundidad
2,38
Altura
22,1
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70
Interfaz
PCI Express 4.0
Componente para
PC
Voltaje de operación
3,3
Golpes en funcionamiento
1500
Tipo de memoria
V-NAND TLC
NVMe
Si
Velocidad de lectura
7150
Velocidad de escritura
6300
Tiempo medio entre fallos
1500000
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Encriptación de hardware
Si
Lectura aleatoria (4KB)
850000
Función DevSleep
Si
Escritura aleatoria (4KB)
1350000
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Soporte TRIM
Si
Versión NVMe
2.0
Consumo eléctrico promedio (lectura)
4,3
Consumo eléctrico promedio (escritura)
4,2
Tamaño de la unidad SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)

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